Archief - Ellipsometrie

Het archief is een bevroren moment uit een vorige versie van dit forum, met andere regels en andere bazen. Deze posts weerspiegelen op geen enkele manier onze huidige ideeën, waarden of wereldbeelden en zijn op sommige plaatsen gecensureerd wegens ontoelaatbaar. Veel zijn in een andere tijdsgeest gemaakt, al dan niet ironisch - zoals in het ironische subforum Off-Topic - en zouden op dit moment niet meer gepost (mogen) worden. Toch bieden we dit archief nog graag aan als informatiedatabank en naslagwerk. Lees er hier meer over of start een gesprek met anderen.

NotoriousP

Legacy Member
Voor mijn thesis doe ik onderzoek op dunne filmen en de meest gebruikte methode voor de dikte meting hier is ellipsometrie. Wat er gebeurt is simpel:

Er wordt s en p gepolariseerd licht (in fase) afgeschoten op de laag, dit licht gaat reflecteren en ondergaat daarbij een faseverandering en de intensiteit verhouding zal ook veranderen. Deze 2 worden gemeten en dan kan er via de Fresnal vergelijkingen en de wet van Snell de brekingsindex & dichtheid bepaald worden, daaruit haalt men dan de dikte.

Mijn vraag nu: hoe komt het dat op atomair niveau, reflectie zorgt voor die verandering in fase en in intensiteit (door andere polarasitatie)? Na wat opzoek werk weet ik dat dit komt door elektrische dipolen maar ik vat nog niet helemaal hoe dit precies in zijn werk gaat.

DaFreak

Legacy Member
Je weet er ongetwijfeld meer van af dan mij en dus heb je hoogst waarschijnlijk deze link ook al wel eens bekeken. Photon polarization - Wikipedia, the free encyclopedia
Hoe reflectie en polarisatie op atomair niveau gebeurt of hoe indivuele photonen gepolariseerd worden is een enorm bizar verschijnsel. Eigenlijk kunnen we de uitkomst enkel met enige zekerheid berekenen als het over grote aantallen photonen op een groot oppervlak gaat en dus niet op atomair niveau gaan kijken wat er gebeurt. Als we dat toch proberen en kijken hoe een individueel photon zich gedraagt, kunnen we een berekend gokje wagen via QED maar ik vrees dat de eerste persoon die precies begrijpt hoe dit polarisatie proces op atomair niveau werkt jammer genoeg nog geboren moet worden :/

sorry als ik volledig naast je vraag zit, just trying to help :p

NotoriousP

Legacy Member
Je zit juist hoor maar ik dacht dat er misschien een uitleg was die het simpel met dipolen deed. Mijn kennis van kwantummechanica is redelijk beperkt en die van mijn publiek nog beperkter, dus zover als dit hoef ik niet te gaan :p

Fighting Hobbit

Legacy Member
NotoriousP zei:
Je zit juist hoor maar ik dacht dat er misschien een uitleg was die het simpel met dipolen deed. Mijn kennis van kwantummechanica is redelijk beperkt en die van mijn publiek nog beperkter, dus zover als dit hoef ik niet te gaan :p

In principe, als je het juist wilt doen denk ik dat je niet echt zonder kwantumeffecten kan. Ik denk eigenlijk wel dat je het zonder QED kan aanpakken, gezien je geen elektronen gaat exciteren en dus steeds met gebonden systemen zal blijven werken.

NotoriousP

Legacy Member
Dan heeft het geen zin om er verder op te zoeken, ik geloof dat zelfs de meeste jury leden niet veel kwantummechanica gehad hebben. Echt noodzakelijk is het ook niet om uit te leggen hoe het principe werkt, ik vroeg het mij maar af voor het geval dat iemand erachter zou vragen. :)

Weet er iemand misschien welk meet toestel men gebruikt voor het analyseren van die lichtgolven?

Exorikos

Legacy Member
Diktemeting kan toch ook makkelijk met XRR? Zij het niet in situ natuurlijk. :p

NotoriousP

Legacy Member
Ellipsometrie is veel sneller, ongeveer een factor 10. Bovendien wordt het XRR machien ook voor XRD gebruikt en iedereen wilt van die 2 gebruik maken en de tijd is dus zeer beperkt. Als ge dagelijks soms 20 wafers moet meten, niet bepaald ideaal. :p

Exorikos

Legacy Member
En met ellipsometrie kan je diktebepaling doen tijdens het groeien. :p En het is veiliger... Ik had natuurlijk maar één sample te meten.

Wat voor dunne films trouwens?

NotoriousP

Legacy Member
Ta2O5 en TaSiOx, deze laatste als mogelijke poort oxide voor III-V transistoren

Exorikos

Legacy Member
Welke dikte heb je voor ogen? Hoe deponeer je de film op je Si substraat? MBE? CVD? PVD? ALD? :p

NotoriousP

Legacy Member
ALD, de experimenten worden rond 8 a 12nm gedaan, op wat dikte series na die tot 40nm gaan. De uiteindelijke poort oxide laag zou wel maar 2 nm mogen zijn geloof ik. ;)

Binnenkort mag ik testen op het In0.7Ga0.3As substraat :p

Exorikos

Legacy Member
Ik heb vorige week nog een presentatie gedaan over ALD. :p Niet echt ideaal voor een industrieel proces wel.

NotoriousP

Legacy Member
Moest ge toevallig een goede afbeelding hebben voor het principe met TaCl5 (of een andere precursor met 5 liganden), zou ideaal zijn. ;)

Is zeker geen goed industrieel proces maar dat is het geval met de meeste van die technieken hé. Nuja industriële processen interesseren mij toch al een jaar niet meer. :p

Exorikos

Legacy Member
Geen afbeeldingen, maar wel twee goede artikels, maar aangezien je op IMEC je thesis doet zal je het overzicht van Puurunen al wel kennen. :p

Is het plasma enhanced ALD of gebruik je een andere precursor dan H2? Indien plasma enhanced, hoe zit het met de conformaliteit? Ik vraag me af of die nonconformality alleen geldt indien je in trenches groeit of ook gewoon op een oppervlak.

NotoriousP

Legacy Member
Geen plasma, TaCl5 + H2O voor Ta2O5 en x*(TaCl5 + H2O) + y*(SiCl4 + H2O) voor TaSiOx.
Het archief is een bevroren moment uit een vorige versie van dit forum, met andere regels en andere bazen. Deze posts weerspiegelen op geen enkele manier onze huidige ideeën, waarden of wereldbeelden en zijn op sommige plaatsen gecensureerd wegens ontoelaatbaar. Veel zijn in een andere tijdsgeest gemaakt, al dan niet ironisch - zoals in het ironische subforum Off-Topic - en zouden op dit moment niet meer gepost (mogen) worden. Toch bieden we dit archief nog graag aan als informatiedatabank en naslagwerk. Lees er hier meer over of start een gesprek met anderen.
Terug
Bovenaan